2

-resolved inverse photoemission spectroscopy

Année:
1995
Langue:
english
Fichier:
PDF, 372 KB
english, 1995
6

on GeS

Année:
1992
Langue:
english
Fichier:
PDF, 411 KB
english, 1992
10

Conduction-band dispersion in heteroepitaxial C60

Année:
1993
Langue:
english
Fichier:
PDF, 708 KB
english, 1993
20

Electronic structure of α and γ phases of Si(111)–3×3–Sn

Année:
2000
Langue:
english
Fichier:
PDF, 271 KB
english, 2000
23

High-temperature graphitization of the 6H-SiC (0001̄) face

Année:
1999
Langue:
english
Fichier:
PDF, 362 KB
english, 1999
31

 Interface formation through conduction-band electronic structure

Année:
1998
Langue:
english
Fichier:
PDF, 531 KB
english, 1998
33

Electronic and vibrational properties at the ZnPc/Ag(110) interface

Année:
2009
Langue:
english
Fichier:
PDF, 477 KB
english, 2009
34

3)

Année:
2011
Langue:
english
Fichier:
PDF, 264 KB
english, 2011
35

) probed through the unoccupied electronic states

Année:
2013
Langue:
english
Fichier:
PDF, 475 KB
english, 2013
38

reconstructions on Si(111)

Année:
2001
Langue:
english
Fichier:
PDF, 552 KB
english, 2001
39

: Cationic origin of the defect band-gap states

Année:
1990
Langue:
english
Fichier:
PDF, 790 KB
english, 1990
49

3 surface

Année:
2013
Langue:
english
Fichier:
PDF, 8.17 MB
english, 2013
50

Unoccupied surface state on the (√3 × √3) R30° of 6H-SiC(0001)

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 845 KB
english, 1997